氮化铝晶体生长与应用 azw3 chm 地址 kindle 阿里云 下载 umd pdf

氮化铝（AlN）是一种典型的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料。氮化铝拥有热导率高、热膨胀系数低、介电常数高、抗腐蚀能力强、热力学稳定性高等优异特性。《氮化铝晶体生长与应用》系统、深入地介绍了氮化铝晶体的基本性质、生长方法和具体应用。《氮化铝晶体生长与应用》分为7章：第1章是绪论，介绍了第一、二、三代半导体材料的基本概念、性质和应用；第2～6章主要介绍了氮化铝晶体的基本特性，低维氮化铝纳米材料、氮化铝薄膜和氮化铝晶体的制备方法，以及三元合金及掺杂改性；第7章主要介绍了氮化铝材料的具体应用。

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书籍介绍

氮化铝（AlN）是一种典型的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料。氮化铝拥有热导率高、热膨胀系数低、介电常数高、抗腐蚀能力强、热力学稳定性高等优异特性。《氮化铝晶体生长与应用》系统、深入地介绍了氮化铝晶体的基本性质、生长方法和具体应用。《氮化铝晶体生长与应用》分为7章：第1章是绪论，介绍了第一、二、三代半导体材料的基本概念、性质和应用；第2～6章主要介绍了氮化铝晶体的基本特性，低维氮化铝纳米材料、氮化铝薄膜和氮化铝晶体的制备方法，以及三元合金及掺杂改性；第7章主要介绍了氮化铝材料的具体应用。