晶体生长原理与技术(第2版)(精) azw3 chm 地址 kindle 阿里云 下载 umd pdf

本书分4篇探讨晶体生长的原理与技术。 篇为晶体生长的基本原理，分5章对晶体生长的热力学原理、动力学原理、界面过程、生长形态及晶体生长初期的形核相关原理进行论述。第二篇为晶体生长的技术基础，分3章进行晶体生长过程的涉及传输行为(传质、传热、对流)、化学基础问题(材料的提纯与合成问题)以及物理基础(电、磁、力的作用原理)的综合分析。第三篇为晶体生长技术，分4章分别对以Bridgman法为主的熔体法晶体生长、以Czochralski方法为主的熔体法晶体生长、溶液法晶体生长以及气相晶体生长技术与**发展进行介绍。第四篇分2章分别对晶体生长过程中缺陷的形成与控制和晶体的结构与性能表征方法进行论述。

第二版前言

版前言

篇 晶体生长的基本原理

第1章 导论

1.1 晶体的基本概念

1.1.1 晶体的结构特征

1.1.2 晶体结构与点阵

1.1.3 晶向与晶面

1.1.4 晶体的结构缺陷概述

1.2 晶体材料

1.2.1 常见晶体材料的晶体结构

1.2.2 按照功能分类的晶体材料

1.3 晶体生长技术的发展

1.4 晶体生长技术基础及其与其他学科的联系

参考文献

第2章 晶体生长的热力学原理

2.1 晶体生长过程的物相及其热力学描述

2.1.1 气体的结构及热力学描述

2.1.2 液体的结构及热力学描述

2.1.3 固体的结构及其热力学参数

2.1.4 相界面及其热力学分析

2.1.5 晶体生长的热力学条件

2.2 单质晶体生长热力学原理

2.2.1 单质晶体生长过程中的热力学条件

2.2.2 液相及气相生长的热力学条件及驱动力

2.2.3 固态再结晶的热力学条件

2.3 二元系的晶体生长热力学原理

2.3.1 二元合金中的化学位

2.3.2 液-固界面的平衡与溶质分凝

2.3.3 气-液及气-固平衡

2.4 多组元系晶体生长热力学分析

2.4.1 多元体系的自由能

2.4.2 多元系结晶过程的热力学平衡条件

2.4.3 相图计算技术的应用

2.5 化合物晶体生长热力学原理

2.5.1 化合物分解与合成过程的热力学分析

2.5.2 复杂二元及多元化合物体系的简化处理

2.5.3 化合物晶体非化学计量比的成分偏离与晶体结构缺陷

2.5.4 熔体中的短程序及缔合物

2.6 强磁场及高压环境对晶体生长热力学条件的影响

2.6.1 强磁场对晶体生长热力学平衡条件的影响

2.6.2 高压对晶体生长热力学平衡条件的影响

参考文献

第3章 晶体生长过程的形核原理

3.1 均质形核理论

3.1.1 熔体中的均质形核理论

3.1.2 气相与固相中的均质形核

3.1.3 均质形核理论的发展

3.2 异质形核

3.2.1 异质形核的基本原理

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书籍介绍

本书将在绪论中，对人工晶体生长的基本概念、研究范畴、研究历史和晶体生长方法分类等基本概念进行简要介绍，然后分4篇进行论述。

靠前篇为晶体生长的基本原理，将分5章，对晶体生长过程的热力学和动力学原理，结晶界面形貌与结构，形核与生长的动力学过程进行描述。

二篇为晶体生长的技术基础，将分3章，对晶体生长过程的涉及的传热、传质及流体流动原理，晶体生长过程的化学原理和晶体生长过程控制涉及的物理原理进行论述。

三篇为晶体生长技术，将分4章对熔体生长（2章）、溶液生长、气相生长的主要方法及其控制原理进行论述。

四篇，晶体的性能表征与缺陷，将分2章，分别对晶体的结构、性能的主要表征方法，晶体的结构缺陷形成与控制原理进行论述。